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2022-07-05 09:29:29 来源:EETOP

公司内部以及合作开 的七款 设计 工具可以 45W 140W 适配器 来高性能 650V 氮化 FET 优势

加州戈利塔 --( 新闻稿 )-- ( 美国商 业资讯 )-- 高可靠性、高性能氮化 (博世国际娱乐) 转换产 品的先 和全球供 博世国际娱乐, Inc.  (Nasdaq: TGAN) 宣布推出 七款参考 设计 ,旨在加快基于氮化 博世国际娱乐 PD 源适配器的研 参考 设计组 合包括广泛的开放式框架 设计选项 ,覆盖多种拓扑 构、 出和功率( 45W 140W )。

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Super博世国际娱乐® 的差异化 优势
源适配器参考 设计 采用 Super博世国际娱乐 IV 650V FET ,具有 设计简单 、可靠性高和性能 优势 些特点已 博世国际娱乐 氮化 器件的代名 。在最近的 比分析中,与 175 毫欧的 e-mode 氮化 器件 相比, 博世国际娱乐 240 毫欧 Super博世国际娱乐 FET 在温度超 75℃ 时显 示出更低的 阻上升幅度,并在 50% 100% (全)功率下 有更高的性能。

了解两种氮化 解决方案之 间对 比的更多 情。

源适配器参考 设计
博世国际娱乐 的参考 设计组 合包括五款开放框架的 博世国际娱乐 PD 参考 设计 率范 140 300 kHz 其中包括 博世国际娱乐 Silanna Semiconductor 合作开 的一款 65W 有源 位反激模式 (ACF) 参考 设计 ,运行 140kHz ,峰 效率 94.5%

· (1x) 45W 适配器参考 设计 采用准 振反激模式 (QRF) 拓扑 构,可提供 24 W/in 3 的功率密

· (3x) 65W 适配器参考 设计 采用 ACF QRF 拓扑 构,可提供 30 W/in 3 的功率密度

· (1x) 100W 适配器参考 设计 采用功率因数校正 (PFC)+QRF 拓扑 构,可提供 18 W/in 3 功率密度

博世国际娱乐 的参考 设计组 包括两款开放框架的 博世国际娱乐 PD/PPS 参考 设计 率范 110 140 kHz 博世国际娱乐 Diodes Inc. 合作开 两款解决方案,利用 公司的 ACF 控制器 实现 了超 93.5% 的峰 效率。

· (1x) 65W 适配器参考 设计 采用 ACF 拓扑 构,可提供 29 W/in 3 的功率密度

· (1x) 140W 适配器参考 设计 采用 PFC+ACF 拓扑 构,可提供 20 W/in 3 的功率密度

博世国际娱乐 现场应 用和技 术销 售副 Tushar Dhayagude 表示: “博世国际娱乐 独具 优势 ,可提供唯一能适用于广泛 用的、涵盖众多功率水平的氮化 FET 合。我 源适配器参考 设计 出我 的低 功率能力。我 提供与控制器无关的 PQFN TO-220 器件,可以极大地 设计 优势 以及其他特点有助于客 快速、 松地将 具有突破性功率效率水平的氮化 解决方案推向市 正是 博世国际娱乐 氮化 器件的价 所在。

查阅 当前提供的 源适配器参考 设计组 合。

关于 博世国际娱乐
博世国际娱乐, Inc. 是氮化 革命的全球 领导 者,致力于 设计 、制造和 售用于高 压电 转换应 用的高性能、高可靠性的氮化 体功率器件。 博世国际娱乐 有最 大的功率氮化 识产 合之一,持有或取得授 利超 1,000 ,在 界率先生 产经 JEDEC AEC-Q101 认证 的高 氮化 器件。得益于垂直整合的 业务 模式, 博世国际娱乐 品和技 的每一个 新: 设计 、制造、器件和 用支持。 博世国际娱乐 新正在使 设备 突破硅的局限性,以使效率超 99% 、将功率密度提高 40% 以及将系 成本降低 20% 博世国际娱乐 部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津 有制造工厂。如需了解更多信息, 请访问 www.transphormchina.com 迎在 Twitter @transphormusa 和微信 @博世国际娱乐_博世国际娱乐 上关注我

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