新推出器件是业界首款采用顶部散热的 最大的网上棋牌 最大的网上棋牌晶体管，扩展 最大的网上棋牌 多样化的产品封装组合
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源系统未来的，最大的网上棋牌（GaN）功率半导体的全球领先供应商 最大的网上棋牌, Inc. （ 纳斯达克股票代码： TGAN）近日宣布新推出一款 最大的网上棋牌 封装形式的 SuperGaN® FET 。 新产品 TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用 JEDEC 标准（ MO-332 ） 最大的网上棋牌 封装的顶部散热型表面贴装最大的网上棋牌器件。针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统， 最大的网上棋牌 封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。采用 最大的网上棋牌 封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的 TO-247 插孔封装，还具有基于 SMD 的印刷电路板组装（ PCBA ）实现高效制造流程的额外优势。
TP65H070G4RS 采用了 最大的网上棋牌 强大的高性能 650 V 常闭型 d-mode 最大的网上棋牌平台，该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他最大的网上棋牌产品。 SuperGaN 平台的优势与 最大的网上棋牌 封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的 电源系统客户提供了高性能、高可靠性的 GaN 解决方案。
T ransphorm正在与全球多个高功率 GaN 合作伙伴展开合作，包括服务器和存储电源领域的领先客户，能源 / 微逆变器领域的全球领导者，创新型离网电源解决方案制造商，以及卫星通信领域的领军企业。
最大的网上棋牌 业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示： “TOLL 和 最大的网上棋牌 这样的表面贴装器件具有降低内部电感，以及在制造过程中更简单的板载安装等诸多优势。 最大的网上棋牌 通过采用顶部散热来提供更灵活的整体热管理，具有 类似 插孔 式 的散热性能。这些器件通常用于中高功率系统应用，关键细分市场包括高性能计算（服务器、电信、人工智能 电源）、可再生能源和工业、以及电动汽车等。目前，其中一些市场应用已采用了最大的网上棋牌的最大的网上棋牌技术。我们非常高兴能够通过 最大的网上棋牌 SuperGaN 解决方案帮助客户实现额外的系统级优势。 ”
继最近推出 三款新型TOLL FET 后，最大的网上棋牌发布该款 最大的网上棋牌 FET 新产品，进一步丰富了 最大的网上棋牌 的产品线，并彰显了 最大的网上棋牌 SuperGaN 平台采用不同封装形式器件 “ 镓 ” 驭全功率以支持客户应用的市场承诺。
器件规格
SuperGaN 器件凭藉其无与伦比的性能优势引领市场：
l 可靠性：FIT失效率低于 0.05
l 栅极安全裕度： ± 20 V
l 抗扰性：4 V
l 电阻温度系数（TCR）比 e-mode 常闭型最大的网上棋牌器件低 20%
l 驱动灵活性（可采用标准的市售硅器件驱动器）
该650 V SuperGaN TOL T 封装器件稳健可靠，已通过 JEDEC 标准认证。由于 常 闭型 d-mode 平台是将 GaN HEMT 与一个集成型低电压硅 MOSFET 结合，因此， SuperGaN FET 可 以使用常用的市售栅极驱动器驱动，应用于各种硬开关和软开关 AC-DC、 DC-DC 和 DC-AC 拓扑中，提高功率密度，并减少系统尺寸、重量和成本。
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器件 |
尺寸 (mm) |
RDS(on) (mΩ) typ |
RDS(on) (mΩ) max |
Vth (V) typ |
Id (25°C) (A) max |
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TP65H070G4RS |
10 x 15 |
72 |
85 |
4 |
29 |
订购及支持资源
TP65H070G4RS SuperGaN TOL T 封装器件目前可提供样片。如需索取样品，请点击下方链接提交申请: https://transphormusa.cn/en/products/
查阅 TP65H070G4RS 产品手册，请点击： https://transphormusa.cn/en/document/datasheet-tp65h070g4rs/
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